Proiectarea ”încapsulare prin presare” a rezistoarelor siliconice permite:

• minimizarea inductanţei parazite (<3nH);
• folosirea unui sistem de răcire uniform cu dispozitive semiconductoare încapsulate (diode, tiristoare, etc.);
• îmbunătăţirea performanţelor şi reducerea dimensiunii driverelor şi generatoarelor de mare putere la frecvenţă înaltă;
• îmbunătăţirea puterii specifice (peste 10W/cm³): de 5-6 ori mai mare decât la rezistoarele obişnuite;
• obţinerea unor valori scăzute ale rezistenţei termice pentru structura ”element rezistiv-carcasă”;